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本發明的目的是提供一種基于TE偏振光斜入射模式的雙通道窄帶吸收體，提供更高的靈敏度和綜合反應靈敏度的品質因子，包括紅外石墨烯基窄帶吸收單元，紅外石墨烯基窄帶吸收單元包括從上到下位的電介質層、緩沖電介質層、石墨烯薄膜、高折射率納米腔超表面、金屬基底，所述高折射率納米腔超表面的上端面向下開設有孔，孔中填充與電介質層相同的電介質，由于該結構的反射譜寬度0.5 nm，諧振位置吸收率高達97%，所以該結構有助于設計高靈敏度折射率傳感器，其中，頂部電介質層作為第一個通道，高折射率納米腔超表面的納米深孔陣列作為第二個通道，結果表明該傳感器的靈敏度可達500 nm/RIU，綜合反應靈敏度的品質因子高達1000/RIU，優于現有技術。

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