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本發明公開一種SiC單晶片拋光方法，采用含有還原劑、氧化劑、催化劑等化學物質的拋光墊，在拋光壓力的作用下，SiC單晶片與拋光墊表面的凸峰相接觸，產生摩擦及摩擦熱，還原劑釋放出氧氣，在催化劑及摩擦熱等的作用下，氧氣與SiC單晶片表面發生氧化反應，在表面生成一層SiO2層，然后由具有自退讓功能的磨粒去除；此過程交替進行，實現SiC單晶片表面全局被平坦化。由于采用具有自退讓功能的磨粒，磨粒能夠隨拋光壓力的變化而上下退讓，當磨粒尺寸不一致或磨粒的凸刃高度不同時，通過磨粒的自退讓性，使得加工中磨粒的凸刃高度隨壓力的變化而變化，控制加工中每個磨粒的切深。拋光后SiC單晶片表面質量高，成本低，廢物排放低。

1、選定專利：顧問一對一服務，幫助買家選中所需專利，并確認賣家專利可交易；

2、簽訂合同：買賣雙方與顧問協商交易細節，簽訂合同；

3、支付款項：買家依合同約定支付交易款項到運營平臺；

4、提供材料：買賣雙方需要提供《專利代理委托書》、《轉讓協議》、《解聘書》等材料給辦理轉讓手續方；

5、辦理手續：辦理轉讓手續方提交材料至國家知識產權局辦理轉讓手續，國家知識產權局最快半個月左右下發專利轉讓《手續合格通知書》；

6、證書交接：買家確認收到《專利證書》、專利轉讓《手續合格通知書》原件，確認無誤。

7、交易完成：平臺把交易款項支付給賣家，至此專利轉讓業務完成。

保障一：對于在本平臺交易的交易品，均由我平臺驗證交易品的有效性；

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保障三：通過本平臺交易，買家支付交易款項給本平臺，由本平臺監控交易流程，待確認交易完成后支付交易款項給賣家，全程資金代管，保障買賣雙方資金安全；

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